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Présentation des produits
Référence Digi-Key IRF620SPBF-ND
Quantité disponible 3 051
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRF620SPBF

Description MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK
Description étendue N-Channel 200V 5.2A (Tc) 3W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount D2PAK
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 12 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRF620S, SiHF620S
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Assemblage/origine PCN Additional Assembly Site 21/Oct/2016
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 200V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 5,2 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 14nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 260pF à 25V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 3 W (Ta), 50 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 800 mOhms à 3,1A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur D2PAK
Boîtier TO-263-3, D²Pak (2 broches+languette), TO-263AB
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms *IRF620SPBF

04:37:33 1/23/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,70000 1,70
10 1,52300 15,23
25 1,43720 35,93
100 1,22460 122,46
250 1,14984 287,46
500 1,00612 503,06
1 000 0,83363 833,63
2 500 0,77614 1 940,36
5 000 0,74740 3 736,98

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