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Référence Digi-Key IRF620SPBF-ND
Quantité disponible 2 727
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRF620SPBF

Description MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK
Description étendue N-Channel 200V 5.2A (Tc) 3W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount D2PAK
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 12 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRF620S, SiHF620S
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Assemblage/origine PCN Additional Assembly Site 21/Oct/2016
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 200V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 5,2 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 14 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 260 pF à 25 V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 3 W (Ta), 50 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 800 mOhms à 3,1 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur D2PAK
Boîtier TO-263-3, D²Pak (2 broches + languette), TO-263AB
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms *IRF620SPBF

09:32:18 2/20/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,65000 1,65
10 1,48200 14,82
25 1,39800 34,95
100 1,19120 119,12
250 1,11844 279,61
500 0,97866 489,33
1 000 0,81088 810,88
2 500 0,75496 1 887,39
5 000 0,72699 3 634,97

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