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Référence Digi-Key IRF610PBF-ND
Quantité disponible 4 064
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRF610PBF

Description MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-220AB
Description étendue N-Channel 200V 3.3A (Tc) 36W (Tc) Through Hole TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 11 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRF610PBF
Packaging Information
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Assemblage/origine PCN PCN-SIL-0102014 Rev 0 23/May/2014
Modèles EDA / CAD ? Télécharger depuis Ultra Librarian
Page de catalogue 1444 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 200V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 3,3 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 8,2 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 140 pF à 25 V
Vgs (max.) ±20 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 36 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 1,5 Ohms à 2 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220AB
Boîtier TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms *IRF610PBF

22:14:23 3/27/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,62000 0,62
10 0,54900 5,49
25 0,51600 12,90
100 0,42130 42,13
250 0,39136 97,84
500 0,33304 166,52
1 000 0,26643 266,43
2 500 0,24146 603,64
5 000 0,22480 1 124,02

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