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Présentation des produits
Référence Digi-Key IRF610PBF-ND
Quantité disponible 4 295
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRF610PBF

Description MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 11 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRF610PBF
Packaging Information
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Assemblage/origine PCN PCN-SIL-0102014 Rev 0 23/May/2014
Modèles EDA / CAD ? Télécharger depuis le site Accelerated Designs
Page de catalogue 1444 (FR2011-FR PDF)
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Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

Vishay Siliconix

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N MOSFET, oxyde métallique
Fonction FET Standard
Tension drain-source (Vdss) 200V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 3,3A (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 1,5 Ohms à 2A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 8,2nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 140pF à 25V
Puissance max. 36W
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier TO-220-3
Boîtier fournisseur TO-220AB
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms *IRF610PBF

00:32:17 12/4/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,59000 0,59
10 0,52200 5,22
25 0,49120 12,28
100 0,40080 40,08
250 0,37232 93,08
500 0,31688 158,44
1 000 0,25351 253,51
2 500 0,22974 574,35
5 000 0,21390 1 069,48

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