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Référence Digi-Key IRF610PBF-ND
Quantité disponible 3 140
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRF610PBF

Description MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-220AB
Description étendue N-Channel 200V 3.3A (Tc) 36W (Tc) Through Hole TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 11 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRF610PBF
Packaging Information
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Assemblage/origine PCN PCN-SIL-0102014 Rev 0 23/May/2014
Modèles EDA / CAD ? Télécharger depuis le site Accelerated Designs
Page de catalogue 1444 (FR2011-FR PDF)
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종류
Fabricant

Vishay Siliconix

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 200V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 3,3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 8,2nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 140pF à 25V
Vgs (Max) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 36W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 1,5 Ohms à 2A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220AB
Boîtier TO-220-3
 
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Colis standard ? 50
Autres Noms *IRF610PBF

16:16:35 1/16/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,60000 0,60
10 0,53200 5,32
25 0,50000 12,50
100 0,40790 40,79
250 0,37892 94,73
500 0,32250 161,25
1 000 0,25799 257,99
2 500 0,23381 584,52
5 000 0,21768 1 088,41

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