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Référence Digi-Key IRF530PBF-ND
Quantité disponible 3 699
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRF530PBF

Description MOSFET N-CH 100V 14A TO-220AB
Description étendue N-Channel 100V 14A (Tc) 88W (Tc) Through Hole TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 11 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRF530PBF
Packaging Information
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Assemblage/origine PCN PCN-SIL-0102014 Rev 0 23/May/2014
Modèles EDA / CAD ? Télécharger depuis Ultra Librarian
Page de catalogue 1444 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 14 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 26nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 670pF à 25V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 88 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 160 mOhms à 8,4A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220AB
Boîtier TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms *IRF530PBF

01:22:57 1/24/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,91000 0,91
10 0,81300 8,13
25 0,77120 19,28
100 0,63360 63,36
250 0,59224 148,06
500 0,52338 261,69
1 000 0,41319 413,19
2 500 0,38565 964,12
5 000 0,36637 1 831,83

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