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Référence Digi-Key IRF510SPBF-ND
Quantité disponible 5 664
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRF510SPBF

Description MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
Description étendue N-Channel 100V 5.6A (Tc) 3.7W (Ta), 43W (Tc) Surface Mount D2PAK
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 11 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRF510S, SiHF510S
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Assemblage/origine PCN Additional Assembly Site 21/Oct/2016
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 5,6 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 8,3nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 180pF à 25V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 3,7 W (Ta), 43 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 540 mOhms à 3,4A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur D2PAK
Boîtier TO-263-3, D²Pak (2 broches+languette), TO-263AB
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms *IRF510SPBF

08:18:47 1/22/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,07000 1,07
10 0,94800 9,48
25 0,90040 22,51
100 0,73950 73,95
250 0,69128 172,82
500 0,61092 305,46
1 000 0,48230 482,30
2 500 0,45015 1 125,37
5 000 0,42764 2 138,19

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