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Référence Digi-Key IRF510PBF-ND
Quantité disponible 3 969
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRF510PBF

Description MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220AB
Description étendue N-Channel 100V 5.6A (Tc) 43W (Tc) Through Hole TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 11 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRF510
Packaging Information
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Assemblage/origine PCN PCN-SIL-0102014 Rev 0 23/May/2014
Modèles EDA / CAD ? Télécharger depuis le site Accelerated Designs
Page de catalogue 1444 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 5,6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 8,3nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 180pF à 25V
Vgs (Max) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 43W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 540 mOhms à 3,4A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220AB
Boîtier TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms *IRF510PBF

02:39:42 1/18/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,86000 0,86
10 0,76000 7,60
25 0,71400 17,85
100 0,58280 58,28
250 0,54132 135,33
500 0,46070 230,35
1 000 0,36856 368,56
2 500 0,33401 835,03
5 000 0,31098 1 554,88

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