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Référence Digi-Key 2N7002-T1-E3CT-ND
Quantité disponible 4 594
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

2N7002-T1-E3

Description MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
Description étendue N-Channel 60V 115mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount TO-236
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 15 semaines
Documents et supports
Fiches techniques 2N7000,02,VQ1000J/P,BS170 Datasheet
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Modèles EDA / CAD ? Télécharger depuis Ultra Librarian
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série -
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 60V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 115 mA (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 5V, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 2,5 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs -
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 50 pF à 25 V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 200 mW (Ta)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 7,5 Ohms à 500 mA, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur TO-236
Boîtier TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms 2N7002-T1-E3CT

02:43:14 2/24/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,59000 0,59
10 0,50500 5,05
25 0,47120 11,78
100 0,37700 37,70
250 0,35004 87,51
500 0,29618 148,09
1 000 0,22886 228,86

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Emballage Alternatif | Cette pièce est aussi disponible en emballage suivant
  • Bande et bobine ? : 2N7002-T1-E3TR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 3 000
  • Quantité disponible: 0
  • Prix unitaire: 0,20259
  • Digi-Reel® ? : 2N7002-T1-E3DKR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 1
  • Quantité disponible: 4 594 - Immédiatement
  • Prix unitaire: Digi-Reel®
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