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Référence Digi-Key VS-8EWS12S-M3GI-ND
Quantité disponible 2 702
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

VS-8EWS12S-M3

Description DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO252AA
Description étendue Diode Standard 1200V (1.2kV) 8A Surface Mount D-PAK (TO-252AA)
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 13 semaines
Documents et supports
Fiches techniques VS-8EWS(08,12)S-M3
Obsolescence PCN/ EOL Multiple Devices Improvements 12/Sep/2016
Assemblage/origine PCN LeadFrame/Mold Compound Chgs 12/Sep/2016
PCN, autre DD-018-2015-Rev-00 25/May/2015
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Catégories
Fabricant

Vishay Semiconductor Diodes Division

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type diode Standard
Tension - inverse (Vr) (max.) 1200 V (1,2 kV)
Courant - moyen, redressé (Io) 8 A
Tension - directe (Vf) (max.) à If 1,1 V à 8 A
Vitesse Récupération rapide =< 500 ns, > 200 mA (Io)
Temps de recouvrement inverse (trr) -
Courant - de fuite, inverse à Vr 50µA à 1200V
Capacité à Vr, F -
Type de montage Montage en surface
Boîtier TO-252-3, DPak (2 broches+languette), SC-63
Boîtier fournisseur D-PAK (TO-252AA)
Température de fonctionnement - Jonction -55°C ~ 150°C
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 75
Autres Noms VS-8EWS12S-M3GI

11:43:51 1/23/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 2,72000 2,72
10 2,44400 24,44
25 2,30600 57,65
100 1,96440 196,44
250 1,84456 461,14
500 1,61398 806,99
1 000 1,33730 1 337,30
2 500 1,24507 3 112,67
5 000 1,19895 5 994,77

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