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Référence Digi-Key VS-8EWF10S-M3GI-ND
Quantité disponible 1 792
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

VS-8EWF10S-M3

Description DIODE GEN PURP 1KV 8A TO252AA
Description étendue Diode Standard 1000V (1kV) 8A Surface Mount D-PAK (TO-252AA)
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 13 semaines
Documents et supports
Fiches techniques VS-8EWF(10,12)S-M3
Obsolescence PCN/ EOL Multiple Devices Improvements 12/Sep/2016
Assemblage/origine PCN LeadFrame/Mold Compound Chgs 12/Sep/2016
PCN, autre DD-018-2015-Rev-00 25/May/2015
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Catégories
Fabricant

Vishay Semiconductor Diodes Division

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type diode Standard
Tension - inverse (Vr) (max.) 1000 V (1 kV)
Courant - moyen, redressé (Io) 8 A
Tension - directe (Vf) (max.) à If 1,3 V à 8 A
Vitesse Récupération rapide =< 500 ns, > 200 mA (Io)
Temps de recouvrement inverse (trr) 270ns
Courant - de fuite, inverse à Vr 100µA à 1000V
Capacité à Vr, F -
Type de montage Montage en surface
Boîtier TO-252-3, DPak (2 broches+languette), SC-63
Boîtier fournisseur D-PAK (TO-252AA)
Température de fonctionnement - Jonction -40°C ~ 150°C
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 75
Autres Noms VS-8EWF10S-M3GI

17:27:57 1/24/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 3,11000 3,11
10 2,79100 27,91
25 2,63880 65,97
100 2,28670 228,67
250 2,16944 542,36
500 1,94664 973,32
1 000 1,64176 1 641,76
2 500 1,55967 3 899,18
5 000 1,50104 7 505,18

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