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Présentation des produits
Référence Digi-Key TK9J90ES1E-ND
Quantité disponible 684
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

TK9J90E,S1E

Description MOSFET N-CH 900V TO-3PN
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 12 semaines
Documents et supports
Fiches techniques TK9J90E
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Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

Toshiba Semiconductor and Storage

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N MOSFET, oxyde métallique
Fonction FET Standard
Tension drain-source (Vdss) 900V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 9A (Ta)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 1,3 Ohms à 4,5A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 900µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 46nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 2000pF à 25V
Puissance max. 250W
Température d’utilisation 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier TO-3P-3, SC-65-3
Boîtier fournisseur TO-3P(N)
 
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Colis standard ? 25
Autres Noms TK9J90E,S1E(S
TK9J90ES1E

06:00:27 12/9/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 3,00000 3,00
10 2,67700 26,77
25 2,40840 60,21
100 2,19440 219,44
250 1,98028 495,07
500 1,77690 888,45
1 000 1,49859 1 498,59

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