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Référence Digi-Key TK9J90ES1E-ND
Quantité disponible 1 271
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

TK9J90E,S1E

Description MOSFET N-CH 900V TO-3PN
Description étendue N-Channel 900V 9A (Ta) 250W (Tc) Through Hole TO-3P(N)
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 12 semaines
Documents et supports
Fiches techniques TK9J90E
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Catégories
Fabricant

Toshiba Semiconductor and Storage

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 900V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 9A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 900µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 46nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2000pF à 25V
Vgs (max.) ±30V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 250 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 1,3 Ohms à 4,5A, 10V
Température d’utilisation 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-3P(N)
Boîtier TO-3P-3, SC-65-3
 
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Colis standard ? 25
Autres Noms TK9J90E,S1E(S
TK9J90ES1E

23:53:07 1/19/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 3,05000 3,05
10 2,72400 27,24
25 2,45080 61,27
100 2,23330 223,33
250 2,01536 503,84
500 1,80836 904,18
1 000 1,52512 1 525,12

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