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Référence Digi-Key TK9J90ES1E-ND
Quantité disponible 1 255
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

TK9J90E,S1E

Description MOSFET N-CH 900V TO-3PN
Description étendue N-Channel 900V 9A (Ta) 250W (Tc) Through Hole TO-3P(N)
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 12 semaines
Documents et supports
Fiches techniques TK9J90E
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Catégories
Fabricant

Toshiba Semiconductor and Storage

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 900V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 9 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4 V à 900 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 46 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2000 pF à 25 V
Vgs (max.) ±30V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 250 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 1,3 Ohms à 4,5 A, 10 V
Température d’utilisation 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-3P(N)
Boîtier TO-3P-3, SC-65-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 25
Autres Noms TK9J90E,S1E(S
TK9J90ES1E

13:26:38 2/21/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 2,97000 2,97
10 2,65000 26,50
25 2,38400 59,60
100 2,17230 217,23
250 1,96032 490,08
500 1,75900 879,50
1 000 1,48349 1 483,49

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