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Référence Digi-Key TK6A65D(STA4QM)-ND
Quantité disponible 2 389
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

TK6A65D(STA4,Q,M)

Description MOSFET N-CH 650V 5A TO-220SIS
Description étendue N-Channel 650V 6A (Ta) 45W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 12 semaines
Documents et supports
Fiches techniques TK6A65D
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Catégories
Fabricant

Toshiba Semiconductor and Storage

Série π-MOSVII
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 650V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 6 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4 V à 1 mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 20 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1050 pF à 25 V
Vgs (max.) ±30V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 45 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 1,11 Ohms à 3 A, 10 V
Température d’utilisation 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220SIS
Boîtier Boîtier complet TO-220-3
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms TK6A65D(STA4QM)
TK6A65DSTA4QM

14:43:24 2/23/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,81000 1,81
10 1,63900 16,39
25 1,46360 36,59
100 1,31710 131,71
250 1,17072 292,68
500 1,02440 512,20
1 000 0,84878 848,78
2 500 0,79025 1 975,62

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