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Référence Digi-Key TK6A65D(STA4QM)-ND
Quantité disponible 2 389
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

TK6A65D(STA4,Q,M)

Description MOSFET N-CH 650V 5A TO-220SIS
Description étendue N-Channel 650V 6A (Ta) 45W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 12 semaines
Documents et supports
Fiches techniques TK6A65D
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Categories
Fabricant

Toshiba Semiconductor and Storage

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 650V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 6A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 1mA
Charge de porte (Qg) à Vgs 20nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 1050pF à 25V
Vgs (Max) ±30V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 45W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 1,11 Ohms à 3A, 10V
Température d’utilisation 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220SIS
Boîtier Boîtier complet TO-220-3
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms TK6A65D(STA4QM)
TK6A65DSTA4QM

09:03:29 1/16/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,86000 1,86
10 1,68500 16,85
25 1,50440 37,61
100 1,35410 135,41
250 1,20360 300,90
500 1,05316 526,58
1 000 0,87260 872,60
2 500 0,81242 2 031,06

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