Ajouter aux favoris
Présentation des produits
Référence Digi-Key TK6A60DSTA4QM-ND
Quantité disponible 2 285
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

TK6A60D(STA4,Q,M)

Description MOSFET N-CH 600V 6A TO220SIS
Description étendue N-Channel 600V 6A (Ta) 40W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 12 semaines
Documents et supports
Fiches techniques TK6A60D
Page de catalogue 1569 (FR2011-FR PDF)
Attributs des produits Sélectionner tout
종류
Fabricant

Toshiba Semiconductor and Storage

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 600V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 6A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 1mA
Charge de porte (Qg) à Vgs 16nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 800pF à 25V
Vgs (Max) ±30V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 40W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 1,25 Ohms à 3A, 10V
Température d’utilisation 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220SIS
Boîtier Boîtier complet TO-220-3
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 2 500
Autres Noms TK6A60DSTA4QM

15:55:06 1/16/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,59000 1,59
10 1,41400 14,14
25 1,27640 31,91
100 1,11700 111,70
250 0,98020 245,05
500 0,86622 433,11
1 000 0,68386 683,86
2 500 0,63827 1 595,67

Envoyer une demande de devis pour des quantités supérieures à celles affichées.

Envoyez vos commentaires