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Présentation des produits
Référence Digi-Key TK6A60DSTA4QM-ND
Quantité disponible 2 282
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

TK6A60D(STA4,Q,M)

Description MOSFET N-CH 600V 6A TO220SIS
Description étendue N-Channel 600V 6A (Ta) 40W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 12 semaines
Documents et supports
Fiches techniques TK6A60D
Page de catalogue 1569 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Toshiba Semiconductor and Storage

Série π-MOSVII
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 600V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 6 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4 V à 1 mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 16 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 800 pF à 25 V
Vgs (max.) ±30 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 40 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 1,25 Ohms à 3 A, 10 V
Température d’utilisation 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220SIS
Boîtier Boîtier complet TO-220-3
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 2 500
Autres Noms TK6A60DSTA4QM

00:12:18 3/30/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,65000 1,65
10 1,45900 14,59
25 1,31840 32,96
100 1,15350 115,35
250 1,01228 253,07
500 0,89456 447,28
1 000 0,70623 706,23
2 500 0,65915 1 647,87
5 000 0,62619 3 130,96

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