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Présentation des produits
Référence Digi-Key TK6A60DSTA4QM-ND
Quantité disponible 2 288
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

TK6A60D(STA4,Q,M)

Description MOSFET N-CH 600V 6A TO220SIS
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 12 semaines
Documents et supports
Fiches techniques TK6A60D
Page de catalogue 1569 (FR2011-FR PDF)
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Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

Toshiba Semiconductor and Storage

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N MOSFET, oxyde métallique
Fonction FET Standard
Tension drain-source (Vdss) 600V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 6A (Ta)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 1,25 Ohms à 3A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 1mA
Charge de porte (Qg) à Vgs 16nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 800pF à 25V
Puissance max. 40W
Température d’utilisation 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier Boîtier complet TO-220-3
Boîtier fournisseur TO-220SIS
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 2 500
Autres Noms TK6A60DSTA4QM

18:38:41 12/8/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,57000 1,57
10 1,38900 13,89
25 1,25440 31,36
100 1,09760 109,76
250 0,96312 240,78
500 0,85114 425,57
1 000 0,67196 671,96
2 500 0,62716 1 567,90

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