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Référence Digi-Key TK65E10N1S1X-ND
Quantité disponible 1 463
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

TK65E10N1,S1X

Description MOSFET N CH 100V 148A TO220
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 12 semaines
Documents et supports
Fiches techniques TK65E10N1
Produit représenté U-MOSⅧ-H MOSFETs
Attributs des produits Sélectionner tout
Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

Toshiba Semiconductor and Storage

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N MOSFET, oxyde métallique
Fonction FET Standard
Tension drain-source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 148A (Ta)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 4,8 mOhms à 32,5A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 1mA
Charge de porte (Qg) à Vgs 81nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 5400pF à 50V
Puissance max. 192W
Température d’utilisation 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier TO-220-3
Boîtier fournisseur TO-220
 
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Colis standard ? 50
Autres Noms TK65E10N1,S1X(S
TK65E10N1S1X

14:33:11 12/4/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 2,51000 2,51
10 2,26500 22,65
25 2,02320 50,58
100 1,82070 182,07
250 1,61836 404,59
500 1,41606 708,03
1 000 1,17331 1 173,31

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