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Référence Digi-Key TK65E10N1S1X-ND
Quantité disponible 1 461
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

TK65E10N1,S1X

Description MOSFET N CH 100V 148A TO220
Description étendue N-Channel 100V 148A (Ta) 192W (Tc) Through Hole TO-220
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 12 semaines
Documents et supports
Fiches techniques TK65E10N1
Produit représenté U-MOSⅧ-H MOSFETs
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Catégories
Fabricant

Toshiba Semiconductor and Storage

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 148 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 81nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 5400pF à 50V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 192 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 4,8 mOhms à 32,5A, 10V
Température d’utilisation 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220
Boîtier TO-220-3
 
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Colis standard ? 50
Autres Noms TK65E10N1,S1X(S
TK65E10N1S1X

00:30:26 1/22/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 2,55000 2,55
10 2,30500 23,05
25 2,05880 51,47
100 1,85290 185,29
250 1,64700 411,75
500 1,44114 720,57
1 000 1,19409 1 194,09

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