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Référence Digi-Key TK62N60XS1F-ND
Quantité disponible 468
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

TK62N60X,S1F

Description MOSFET N-CH 600V 61.8A TO-247
Description étendue N-Channel 600V 61.8A (Ta) 400W (Tc) Through Hole TO-247
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 12 semaines
Documents et supports
Fiches techniques TK62N60X
Produit représenté DTMOS4 High Speed Super Junction MOSFETs
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Catégories
Fabricant

Toshiba Semiconductor and Storage

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 600V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 61,8 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 3,5V à 3,1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 135nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 6500pF à 300V
Vgs (max.) ±30V
Fonction FET Super Junction
Dissipation de puissance (max) 400 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 40 mOhms à 21A, 10V
Température d’utilisation 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-247
Boîtier TO-247-3
 
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Colis standard ? 30
Autres Noms TK62N60X,S1F(S
TK62N60XS1F

13:56:40 1/21/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 9,83000 9,83
10 8,84400 88,44
25 8,05720 201,43
100 7,27130 727,13
250 6,68168 1 670,42

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