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Présentation des produits
Référence Digi-Key TK62J60WS1VQ-ND
Quantité disponible 150
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

TK62J60W,S1VQ

Description MOSFET N CH 600V 61.8A TO-3P(N)
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 16 semaines
Documents et supports
Fiches techniques TK62J60W
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Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

Toshiba Semiconductor and Storage

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N MOSFET, oxyde métallique
Fonction FET Super Junction
Tension drain-source (Vdss) 600V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 61,8A (Ta)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 38 mOhms à 30,9A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 3,7V à 3,1mA
Charge de porte (Qg) à Vgs 180nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 6500pF à 300V
Puissance max. 400W
Température d’utilisation 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier TO-3P-3, SC-65-3
Boîtier fournisseur TO-3P(N)
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 25
Autres Noms TK62J60W,S1VQ(O
TK62J60WS1VQ

14:57:37 12/5/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 14,01000 14,01
10 12,73200 127,32
25 11,77720 294,43
100 10,82210 1 082,21

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