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Référence Digi-Key TK62J60WS1VQ-ND
Quantité disponible 147
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

TK62J60W,S1VQ

Description MOSFET N CH 600V 61.8A TO-3P(N)
Description étendue N-Channel 600V 61.8A (Ta) 400W (Tc) Through Hole TO-3P(N)
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 16 semaines
Documents et supports
Fiches techniques TK62J60W
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Catégories
Fabricant

Toshiba Semiconductor and Storage

Série DTMOSIV
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 600V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 61,8 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 3,7 V à 3,1 mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 180 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 6500 pF à 300 V
Vgs (max.) ±30V
Fonction FET Super Junction
Dissipation de puissance (max) 400 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 38 mOhms à 30,9 A, 10 V
Température d’utilisation 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-3P(N)
Boîtier TO-3P-3, SC-65-3
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 25
Autres Noms TK62J60W,S1VQ(O
TK62J60WS1VQ

21:59:34 2/23/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 13,86000 13,86
10 12,60400 126,04
25 11,65840 291,46
100 10,71310 1 071,31

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