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Référence Digi-Key TK39N60W5S1VF-ND
Quantité disponible 1 208
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

TK39N60W5,S1VF

Description MOSFET N-CH 600V 38.8A T0247
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 12 semaines
Documents et supports
Fiches techniques TK39N60W5
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Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

Toshiba Semiconductor and Storage

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss) 600V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 38,8A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) *
Rds passant (max.) à Id, Vgs 74 mOhms à 19,4A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4,5V à 1,9mA
Charge de porte (Qg) à Vgs 135nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 4100pF à 300V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) *
Température d’utilisation 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier TO-247-3
Boîtier fournisseur TO-247
 
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Colis standard ? 30
Autres Noms TK39N60W5,S1VF(S
TK39N60W5S1VF

20:34:17 12/10/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 6,00000 6,00
10 5,39500 53,95
25 4,91480 122,87
100 4,43510 443,51
250 4,07552 1 018,88
500 3,71590 1 857,95

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