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Référence Digi-Key TK39N60W5S1VF-ND
Quantité disponible 1 208
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

TK39N60W5,S1VF

Description MOSFET N-CH 600V 38.8A T0247
Description étendue N-Channel 600V 38.8A (Ta) 270W (Tc) Through Hole TO-247
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 12 semaines
Documents et supports
Fiches techniques TK39N60W5
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Catégories
Fabricant

Toshiba Semiconductor and Storage

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 600V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 38,8A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4,5V à 1,9mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 135nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 4100pF à 300V
Vgs (max.) ±30V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 270 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 74 mOhms à 19,4A, 10V
Température d’utilisation 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-247
Boîtier TO-247-3
 
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Colis standard ? 30
Autres Noms TK39N60W5,S1VF(S
TK39N60W5S1VF

22:13:29 1/19/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 6,10000 6,10
10 5,49000 54,90
25 5,00160 125,04
100 4,51370 451,37
250 4,14768 1 036,92
500 3,78170 1 890,85

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