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Référence Digi-Key TK39J60W5S1VQ-ND
Quantité disponible 330
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

TK39J60W5,S1VQ

Description MOSFET N CH 600V 38.8A TO-3P(N)
Description étendue N-Channel 600V 38.8A (Ta) 270W (Tc) Through Hole TO-3P(N)
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 16 semaines
Documents et supports
Fiches techniques TK39J60W5
Produit représenté DTMOSIV Superjunction MOSFETs
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Catégories
Fabricant

Toshiba Semiconductor and Storage

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 600V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 38,8A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 3,7V à 1,9mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 135nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 4100pF à 300V
Vgs (max.) ±30V
Fonction FET Super Junction
Dissipation de puissance (max) 270W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 65 mOhms à 19,4A, 10V
Température d’utilisation 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-3P(N)
Boîtier TO-3P-3, SC-65-3
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 25
Autres Noms TK39J60W5,S1VQ(O
TK39J60W5S1VQ

18:31:11 1/18/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 10,61000 10,61
10 9,54500 95,45
25 8,69680 217,42
100 7,84830 784,83
250 7,21192 1 802,98

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