Ajouter aux favoris
Présentation des produits
Référence Digi-Key TK39J60W5S1VQ-ND
Quantité disponible 318
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

TK39J60W5,S1VQ

Description MOSFET N CH 600V 38.8A TO-3P(N)
Description étendue N-Channel 600V 38.8A (Ta) 270W (Tc) Through Hole TO-3P(N)
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 16 semaines
Documents et supports
Fiches techniques TK39J60W5
Produit représenté DTMOSIV Superjunction MOSFETs
Attributs des produits Sélectionner tout
Catégories
Fabricant

Toshiba Semiconductor and Storage

Série DTMOSIV
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 600V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 38,8 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 3,7 V à 1,9 mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 135 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 4100 pF à 300 V
Vgs (max.) ±30 V
Fonction FET Super Junction
Dissipation de puissance (max) 270 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 65 mOhms à 19,4 A, 10 V
Température d’utilisation 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-3P(N)
Boîtier TO-3P-3, SC-65-3
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 25
Autres Noms TK39J60W5,S1VQ(O
TK39J60W5S1VQ

21:44:28 2/27/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 10,32000 10,32
10 9,28500 92,85
25 8,45960 211,49
100 7,63400 763,40
250 7,01508 1 753,77

Envoyer une demande de devis pour des quantités supérieures à celles affichées.

Envoyez vos commentaires