Ajouter aux favoris
Présentation des produits
Référence Digi-Key TK39A60WS4VX-ND
Quantité disponible 250
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

TK39A60W,S4VX

Description MOSFET N-CH 600V 39A TO220-3
Description étendue N-Channel 600V 38.8A (Ta) 50W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 16 semaines
Documents et supports
Fiches techniques TK39A60W
Attributs des produits Sélectionner tout
종류
Fabricant

Toshiba Semiconductor and Storage

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 600V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 38,8A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 3,7V à 1,9mA
Charge de porte (Qg) à Vgs 110nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 4100pF à 300V
Vgs (Max) ±30V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 50W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 65 mOhms à 19,4A, 10V
Température d’utilisation 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220SIS
Boîtier TO-220-3 boîtier complet, pastille isolée
 
Les composants suivants peuvent vous intéresser
  • IXTR102N65X2 - IXYS | IXTR102N65X2-ND DigiKey Electronics
  • IXTR102N65X2
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 650V 54A ISOPLUS247
  • Prix unitaire 14,36000
  • IXTR102N65X2-ND
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms TK39A60W,S4VX(M
TK39A60WS4VX

13:29:38 1/16/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 9,36000 9,36
10 8,42200 84,22
25 7,67360 191,84
100 6,92500 692,50
250 6,36348 1 590,87

Envoyer une demande de devis pour des quantités supérieures à celles affichées.

Envoyez vos commentaires