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Référence Digi-Key TK39A60WS4VX-ND
Quantité disponible 160
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

TK39A60W,S4VX

Description MOSFET N-CH 600V 39A TO220-3
Description étendue N-Channel 600V 38.8A (Ta) 50W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 16 semaines
Documents et supports
Fiches techniques TK39A60W
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Catégories
Fabricant

Toshiba Semiconductor and Storage

Série DTMOSIV
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 600V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 38,8 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 3,7 V à 1,9 mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 110 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 4100 pF à 300 V
Vgs (max.) ±30 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 50 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 65 mOhms à 19,4 A, 10 V
Température d’utilisation 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220SIS
Boîtier TO-220-3 boîtier complet, pastille isolée
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms TK39A60W,S4VX(M
TK39A60WS4VX

17:14:51 3/24/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 9,67000 9,67
10 8,69800 86,98
25 7,92480 198,12
100 7,15160 715,16
250 6,57168 1 642,92
500 5,99182 2 995,91

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