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Référence Digi-Key TK39A60WS4VX-ND
Quantité disponible 97
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

TK39A60W,S4VX

Description MOSFET N-CH 600V 39A TO220-3
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 16 semaines
Documents et supports
Fiches techniques TK39A60W
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Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

Toshiba Semiconductor and Storage

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N MOSFET, oxyde métallique
Fonction FET Standard
Tension drain-source (Vdss) 600V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 38,8A (Ta)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 65 mOhms à 19,4A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 3,7V à 1,9mA
Charge de porte (Qg) à Vgs 110nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 4100pF à 300V
Puissance max. 50W
Température d’utilisation 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier TO-220-3 boîtier complet, pastille isolée
Boîtier fournisseur TO-220SIS
 
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  • Prix unitaire 14,11000
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms TK39A60W,S4VX(M
TK39A60WS4VX

04:07:39 12/9/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 9,20000 9,20
10 8,27600 82,76
25 7,54040 188,51
100 6,80450 680,45
250 6,25276 1 563,19

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