Ajouter aux favoris
Présentation des produits
Référence Digi-Key TK25E60XS1X-ND
Quantité disponible 100
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

TK25E60X,S1X

Description MOSFET N-CH 600V 25A TO-220AB
Description étendue N-Channel 600V 25A (Ta) 180W (Tc) Through Hole TO-220
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 12 semaines
Documents et supports
Fiches techniques TK25E60X
Produit représenté DTMOS4 High Speed Super Junction MOSFETs
Attributs des produits Sélectionner tout
Catégories
Fabricant

Toshiba Semiconductor and Storage

Série DTMOSIV-H
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 600V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 25 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 3,5 V à 1,2 mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 40 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2400 pF à 300 V
Vgs (max.) ±30V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 180 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 125 mOhms à 7,5 A, 10 V
Température d’utilisation 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220
Boîtier TO-220-3
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms TK25E60X,S1X(S
TK25E60XS1X

13:52:14 2/26/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 3,76000 3,76
10 3,36100 33,61
25 3,02480 75,62
100 2,75600 275,60
250 2,48712 621,78
500 2,23168 1 115,84
1 000 1,88214 1 882,14

Envoyer une demande de devis pour des quantités supérieures à celles affichées.

Envoyez vos commentaires