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Présentation des produits
Référence Digi-Key TK25E60XS1X-ND
Quantité disponible 106
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

TK25E60X,S1X

Description MOSFET N-CH 600V 25A TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 12 semaines
Documents et supports
Fiches techniques TK25E60X
Produit représenté DTMOS4 High Speed Super Junction MOSFETs
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Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

Toshiba Semiconductor and Storage

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N MOSFET, oxyde métallique
Fonction FET Standard
Tension drain-source (Vdss) 600V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 25A (Ta)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 125 mOhms à 7,5A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 3,5V à 1,2mA
Charge de porte (Qg) à Vgs 40nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 2400pF à 300V
Puissance max. 180W
Température d’utilisation 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier TO-220-3
Boîtier fournisseur TO-220
 
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Colis standard ? 50
Autres Noms TK25E60X,S1X(S
TK25E60XS1X

16:39:23 12/7/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 3,80000 3,80
10 3,39500 33,95
25 3,05560 76,39
100 2,78400 278,40
250 2,51240 628,10
500 2,25438 1 127,19
1 000 1,90129 1 901,29

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