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Présentation des produits
Référence Digi-Key TK20J60UF-ND
Quantité disponible
Fabricant

Référence fabricant

TK20J60U(F)

Description MOSFET N-CH 600V 20A TO-3PN
Description étendue N-Channel 600V 20A (Ta) 190W (Tc) Through Hole TO-3P(N)
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 12 semaines
Documents et supports
Fiches techniques TK20J60U
Mosfets Prod Guide
Modèles EDA / CAD ? Télécharger depuis Ultra Librarian
Page de catalogue 1570 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Toshiba Semiconductor and Storage

Série DTMOSII
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 600V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 20 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 5 V à 1 mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 27 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1470 pF à 10 V
Vgs (max.) ±30V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 190 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 190 mOhms à 10 A, 10 V
Température d’utilisation 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-3P(N)
Boîtier TO-3P-3, SC-65-3
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms TK20J60U(F)-ND
TK20J60UF

17:25:59 2/23/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 5,11000 5,11
10 4,55900 45,59
25 4,10280 102,57
100 3,73790 373,79
250 3,37312 843,28
500 3,02672 1 513,36

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