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Référence Digi-Key TK20A60WS5VX-ND
Quantité disponible 529
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

TK20A60W,S5VX

Description MOSFET N-CH 600V 20A TO220SIS
Description étendue N-Channel 600V 20A (Ta) 45W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 12 semaines
Documents et supports
Fiches techniques TK20A60W
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Catégories
Fabricant

Toshiba Semiconductor and Storage

Série DTMOSIV
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 600V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 20 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 3,7 V à 1 mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 48 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1680 pF à 300 V
Vgs (max.) ±30 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 45 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 155 mOhms à 10 A, 10 V
Température d’utilisation 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220SIS
Boîtier TO-220-3 boîtier complet, pastille isolée
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms ASTK20A60W,S5VX(M
TK20A60W,S5VX(M
TK20A60WS5VX

10:20:53 3/30/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 4,87000 4,87
10 4,34900 43,49
25 3,91400 97,85
100 3,56610 356,61
250 3,21816 804,54
500 2,88766 1 443,83
1 000 2,43538 2 435,38

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