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Référence Digi-Key TK20A60UQM-ND
Quantité disponible 453
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

TK20A60U(Q,M)

Description MOSFET N-CH 600V 20A TO-220SIS
Description étendue N-Channel 600V 20A (Ta) 45W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 16 semaines
Documents et supports
Fiches techniques TK20A60U
Mosfets Prod Guide
Page de catalogue 1570 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Toshiba Semiconductor and Storage

Série DTMOSII
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 600V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 20 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 5 V à 1 mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 27 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1470 pF à 10 V
Vgs (max.) ±30V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 45 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 190 mOhms à 10 A, 10 V
Température d’utilisation 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220SIS
Boîtier Boîtier complet TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms TK20A60U(Q)
TK20A60UQ
TK20A60UQ-ND
TK20A60UQM

17:15:25 2/25/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 5,40000 5,40
10 4,82000 48,20
25 4,33800 108,45
100 3,95220 395,22
250 3,56656 891,64
500 3,20028 1 600,14

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