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Présentation des produits
Référence Digi-Key TK15A60U(STA4QM)-ND
Quantité disponible 124
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

TK15A60U(STA4,Q,M)

Description MOSFET N-CH 600V 15A TO-220SIS
Description étendue N-Channel 600V 15A (Ta) 40W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 12 semaines
Documents et supports
Fiches techniques TK15A60U
Mosfets Prod Guide
Modèles EDA / CAD ? Télécharger depuis Ultra Librarian
Page de catalogue 1570 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Toshiba Semiconductor and Storage

Série DTMOSII
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 600V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 15 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 5 V à 1 mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 17 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 950 pF à 10 V
Vgs (max.) ±30 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 40 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 300 mOhms à 7,5 A, 10 V
Température d’utilisation 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220SIS
Boîtier Boîtier complet TO-220-3
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms TK15A60U(Q)
TK15A60U(Q,M)
TK15A60U(QM)
TK15A60U(QM)-ND
TK15A60U(STA4QM)
TK15A60UQ
TK15A60UQ-ND
TK15A60USTA4QM

11:18:21 3/28/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 3,41000 3,41
10 3,04500 30,45
25 2,74080 68,52
100 2,49730 249,73
250 2,25364 563,41
500 2,02218 1 011,09
1 000 1,70546 1 705,46
2 500 1,62019 4 050,47

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