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Référence Digi-Key TK14N65WS1F-ND
Quantité disponible 343
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

TK14N65W,S1F

Description MOSFET N-CH 650V 13.7A TO-220
Description étendue N-Channel 650V 13.7A (Ta) 130W (Tc) Through Hole TO-247
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 12 semaines
Documents et supports
Fiches techniques TK14N65W
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Catégories
Fabricant

Toshiba Semiconductor and Storage

Série DTMOSIV
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 650V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 13,7 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 3.5 V @ 690 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 35 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1300 pF @ 300 V
Vgs (max.) ±30V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 130 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 250 mOhms @ 6.9 A, 10 V
Température d’utilisation 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-247
Boîtier TO-247-3
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms TK14N65W,S1F(S
TK14N65W,S1F-ND
TK14N65WS1F

05:09:51 2/24/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 2,88000 2,88
10 2,58000 25,80
25 2,32120 58,03
100 2,11490 211,49
250 1,90852 477,13
500 1,71250 856,25
1 000 1,44428 1 444,28

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