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Référence Digi-Key TK14N65WS1F-ND
Quantité disponible 343
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

TK14N65W,S1F

Description MOSFET N-CH 650V 13.7A TO-220
Description étendue N-Channel 650V 13.7A (Ta) 130W (Tc) Through Hole TO-247
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 12 semaines
Documents et supports
Fiches techniques TK14N65W
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Catégories
Fabricant

Toshiba Semiconductor and Storage

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 650V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 13,7A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 3.5V @ 690µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 35nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 1300pF @ 300V
Vgs (Max) ±30V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 130W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 250 mOhms @ 6.9A, 10V
Température d’utilisation 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-247
Boîtier TO-247-3
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms TK14N65W,S1F(S
TK14N65W,S1F-ND
TK14N65WS1F

08:52:38 1/18/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 2,97000 2,97
10 2,65200 26,52
25 2,38640 59,66
100 2,17420 217,42
250 1,96208 490,52
500 1,76056 880,28
1 000 1,48481 1 484,81

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