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Référence Digi-Key TK13A60DSTA4QM-ND
Quantité disponible 3 879
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

TK13A60D(STA4,Q,M)

Description MOSFET N-CH 600V 13A TO220SIS
Description étendue N-Channel 600V 13A (Ta) 50W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 12 semaines
Documents et supports
Fiches techniques TK13A60D
Mosfets Prod Guide
Page de catalogue 1569 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Toshiba Semiconductor and Storage

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 600V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 13A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 40nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2300pF à 25V
Vgs (max.) ±30V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 50W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 430 mOhms à 6,5A, 10V
Température d’utilisation 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220SIS
Boîtier Boîtier complet TO-220-3
 
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  • Prix unitaire 3,55000
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 2 500
Autres Noms TK13A60DSTA4QM

08:58:01 1/19/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 2,84000 2,84
10 2,53900 25,39
25 2,28480 57,12
100 2,08170 208,17
250 1,87864 469,66
500 1,68568 842,84
1 000 1,42166 1 421,66

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