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Présentation des produits
Référence Digi-Key TK13A60DSTA4QM-ND
Quantité disponible 3 829
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

TK13A60D(STA4,Q,M)

Description MOSFET N-CH 600V 13A TO220SIS
Description étendue N-Channel 600V 13A (Ta) 50W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 12 semaines
Documents et supports
Fiches techniques TK13A60D
Mosfets Prod Guide
Page de catalogue 1569 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Toshiba Semiconductor and Storage

Série π-MOSVII
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 600V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 13 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4 V à 1 mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 40 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2300 pF à 25 V
Vgs (max.) ±30 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 50 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 430 mOhms à 6,5 A, 10 V
Température d’utilisation 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220SIS
Boîtier Boîtier complet TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 2 500
Autres Noms TK13A60DSTA4QM

07:36:17 3/24/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 2,94000 2,94
10 2,62100 26,21
25 2,35960 58,99
100 2,14980 214,98
250 1,94008 485,02
500 1,74084 870,42
1 000 1,46817 1 468,17
2 500 1,39476 3 486,89

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