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Référence Digi-Key TK100E10N1S1X-ND
Quantité disponible 2 183
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

TK100E10N1,S1X

Description MOSFET N-CH 100V 100A TO220
Description étendue N-Channel 100V 100A (Ta) 255W (Tc) Through Hole TO-220
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 12 semaines
Documents et supports
Fiches techniques TK100E10N1
Produit représenté U-MOSⅧ-H MOSFETs
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Catégories
Fabricant

Toshiba Semiconductor and Storage

Série U-MOSVIII-H
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 100 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4 V à 1 mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 140 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 8800 pF à 50 V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 255 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 3,4 mOhms à 50 A, 10 V
Température d’utilisation 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220
Boîtier TO-220-3
 
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Colis standard ? 50
Autres Noms TK100E10N1,S1X(S
TK100E10N1S1X

07:38:29 2/22/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 3,40000 3,40
10 3,03400 30,34
25 2,73080 68,27
100 2,48800 248,80
250 2,24532 561,33
500 2,01470 1 007,35
1 000 1,69915 1 699,15

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