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Référence Digi-Key TK100E10N1S1X-ND
Quantité disponible 1 908
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

TK100E10N1,S1X

Description MOSFET N-CH 100V 100A TO220
Description étendue N-Channel 100V 100A (Ta) 255W (Tc) Through Hole TO-220
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 12 semaines
Documents et supports
Fiches techniques TK100E10N1
Produit représenté U-MOSⅧ-H MOSFETs
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Catégories
Fabricant

Toshiba Semiconductor and Storage

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 100A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 140nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 8800pF à 50V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 255W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 3,4 mOhms à 50A, 10V
Température d’utilisation 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220
Boîtier TO-220-3
 
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Colis standard ? 50
Autres Noms TK100E10N1,S1X(S
TK100E10N1S1X

22:42:15 1/18/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 3,49000 3,49
10 3,11900 31,19
25 2,80760 70,19
100 2,55790 255,79
250 2,30832 577,08
500 2,07124 1 035,62
1 000 1,74684 1 746,84

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