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Référence Digi-Key TK100E08N1S1X-ND
Quantité disponible 248
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

TK100E08N1,S1X

Description MOSFET N-CH 80V 100A TO220
Description étendue N-Channel 80V 100A (Ta) 255W (Tc) Through Hole TO-220
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 12 semaines
Documents et supports
Fiches techniques TK100E08N1
Produit représenté U-MOSⅧ-H MOSFETs
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종류
Fabricant

Toshiba Semiconductor and Storage

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 80V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 100A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 1mA
Charge de porte (Qg) à Vgs 130nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 9000pF à 40V
Vgs (Max) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 255W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 3,2 mOhms à 50A, 10V
Température d’utilisation 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220
Boîtier TO-220-3
 
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Colis standard ? 50
Autres Noms TK100E08N1,S1X(S
TK100E08N1S1X

03:41:20 1/17/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 5,37000 5,37
10 4,79900 47,99
25 4,31920 107,98
100 3,93520 393,52
250 3,55128 887,82
500 3,18654 1 593,27

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