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Référence Digi-Key TK100E08N1S1X-ND
Quantité disponible 248
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

TK100E08N1,S1X

Description MOSFET N-CH 80V 100A TO220
Description étendue N-Channel 80V 100A (Ta) 255W (Tc) Through Hole TO-220
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 12 semaines
Documents et supports
Fiches techniques TK100E08N1
Produit représenté U-MOSⅧ-H MOSFETs
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Catégories
Fabricant

Toshiba Semiconductor and Storage

Série U-MOSVIII-H
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 80V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 100 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4 V à 1 mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 130 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 9000 pF à 40 V
Vgs (max.) ±20 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 255 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 3,2 mOhms à 50 A, 10 V
Température d’utilisation 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220
Boîtier TO-220-3
 
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Colis standard ? 50
Autres Noms TK100E08N1,S1X(S
TK100E08N1S1X

14:24:22 3/1/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 5,29000 5,29
10 4,72000 47,20
50 4,24800 212,40
100 3,87040 387,04
250 3,49280 873,20
500 3,13408 1 567,04
1 000 2,64320 2 643,20
2 500 2,51104 6 277,60

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