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Présentation des produits
Référence Digi-Key SSM3J338RLFTR-ND
Quantité disponible 6 000
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

SSM3J338R,LF

Description MOSFET P-CH 12V 6A SOT23F
Description étendue P-Channel 12V 6A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-23F
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 16 semaines
Documents et supports
Fiches techniques SSM3J338R
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종류
Fabricant

Toshiba Semiconductor and Storage

Série -
Conditionnement ? Bande et bobine ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal P
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 12V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 6A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1,8V, 8V
Vgs(th) (max.) à Id 1V à 1mA
Charge de porte (Qg) à Vgs 19,5nC à 4,5V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 1400pF à 6V
Vgs (Max) ±10V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 1W (Ta)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 17,6 mOhms à 6A, 8V
Température d’utilisation 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur SOT-23F
Boîtier SOT-23-3 broches plates
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 3 000
Autres Noms SSM3J338R,LF(B
SSM3J338R,LF(T
SSM3J338RLFTR

01:13:14 1/17/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
3 000 0,09502 285,06
6 000 0,08926 535,57
15 000 0,08350 1 252,54
30 000 0,07659 2 297,76

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