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Présentation des produits
Référence Digi-Key RN1962TE85LFCT-ND
Quantité disponible 1 725
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

RN1962TE85LF

Description TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W US6
Description étendue Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 500mW Surface Mount US6
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 10 semaines
Documents et supports
Fiches techniques RN1961-66
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Catégories
Fabricant

Toshiba Semiconductor and Storage

Série -
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type de transistor 2 NPN - Prépolarisé (double)
Courant - Collecteur (Ic) (max.) 100 mA
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (max.) 50 V
Résistance - base (R1) (Ohms) 10 k
Résistance - base émetteur (R2) (Ohms) 10 k
Gain à courant c.c. (hFE) (min.) à Ic, Vce 50 à 10 mA, 5 V
Vce saturation (max.) à Ib, Ic 300 mV à 250 µA, 5 mA
Courant - Résiduel collecteur-base (max.) 100 nA (ICBO)
Fréquence - Transition 250 MHz
Puissance max. 500 mW
Type de montage Montage en surface
Boîtier 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Boîtier fournisseur US6
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms RN1962TE85LFCT

12:23:33 3/26/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,20000 0,20
10 0,18200 1,82
25 0,13160 3,29
100 0,10210 10,21
250 0,06420 16,05
500 0,05470 27,35
1 000 0,03719 37,19

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Emballage Alternatif | Cette pièce est aussi disponible en emballage suivant
  • Bande et bobine ? : RN1962TE85LFTR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 3 000
  • Quantité disponible: 0
  • Prix unitaire: 0,05664
  • Digi-Reel® ? : RN1962TE85LFDKR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 1
  • Quantité disponible: 1 725 - Immédiatement
  • Prix unitaire: Digi-Reel®
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