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Référence Digi-Key RN1102MFVL3FCT-ND
Quantité disponible 1 518
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

RN1102MFV,L3F

Description Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount VESM
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 12 semaines
Documents et supports
Fiches techniques General-Purpose Small-Signal Surface-Mount Devices
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Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, prépolarisés

Fabricant

Toshiba Semiconductor and Storage

Série -
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type de transistor NPN - Prépolarisé
Courant - Collecteur (Ic) (max.) 100mA
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (max.) 50V
Résistance - base (R1) (Ohms) 10k
Résistance - base émetteur (R2) (Ohms) 10k
Gain à courant c.c. (hFE) (min.) à Ic, Vce 50 à 10mA, 5V
Vce saturation (max.) à Ib, Ic 300mV à 500µA, 5mA
Courant - Résiduel collecteur-base (max.) 500nA
Fréquence - Transition -
Puissance max. 150mW
Type de montage Montage en surface
Boîtier SOT-723
Boîtier fournisseur VESM
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms RN1102MFV(TL3T)CT
RN1102MFV(TL3T)CT-ND
RN1102MFVL3F(BCT
RN1102MFVL3F(BCT-ND
RN1102MFVL3FCT

11:00:46 12/10/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,38000 0,38
10 0,34000 3,40
25 0,24480 6,12
100 0,19040 19,04
250 0,11968 29,92
500 0,10200 51,00
1 000 0,06936 69,36
2 500 0,06256 156,39

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Emballage Alternatif | Cette pièce est aussi disponible en emballage suivant
  • Bande et bobine ? : RN1102MFVL3FTR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 8 000
  • Quantité disponible: 0
  • Prix unitaire: 0,03395
  • Digi-Reel® ? : RN1102MFVL3FDKR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 1
  • Quantité disponible: 1 518 - Immédiatement
  • Prix unitaire: Digi-Reel®
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