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  • Quantité limitée disponible en conditionnement à valeur ajoutée ; conditionnement alternatif existant.
Présentation des produits
Référence Digi-Key 2SK879-GR(TE85LF)CT-ND
Quantité disponible 766
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

2SK879-GR(TE85L,F)

Description JFET N-CH 0.1W USM
Description étendue JFET N-Channel 2.6mA @ 10V 100mW Surface Mount USM
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Documents et supports
Fiches techniques 2SK879
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Catégories
Fabricant

Toshiba Semiconductor and Storage

Série -
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce En fin de cycle chez Digi-Key
Type FET Canal N
Tension disruptive (V(BR)GSS) -
Tension drain-source (Vdss) -
Courant - Drain (Idss) à Vds (Vgs=0) 2,6 mA à 10 V
Courant de drain (Id) - Max -
Tension - Coupure (VGS bloqué) à Id 400 mV à 100 nA
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 8,2 pF à 10 V
Résistance - RDS (passant) -
Puissance max. 100 mW
Température d’utilisation 125°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier SC-70, SOT-323
Boîtier fournisseur USM
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms 2SK879-GR(TE85LF)CT

21:34:09 3/27/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,44000 0,44
10 0,37200 3,72
25 0,32520 8,13
100 0,27870 27,87
250 0,24156 60,39
500 0,20440 102,20

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Emballage Alternatif | Cette pièce est aussi disponible en emballage suivant
  • Bande et bobine ? : 2SK879-GR(TE85LF)TR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 0  Non stocké ?
  • Quantité disponible: 0
  • Prix unitaire: Appelez
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