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Référence Digi-Key 2SK3564(STA4QM)-ND
Quantité disponible 1 220
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

2SK3564(STA4,Q,M)

Description MOSFET N-CH 900V 3A TO-220SIS
Description étendue N-Channel 900V 3A (Ta) 40W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 12 semaines
Documents et supports
Fiches techniques Mosfets Prod Guide
2SK3564
Page de catalogue 1570 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Toshiba Semiconductor and Storage

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 900V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 3A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 17nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 700pF à 25V
Vgs (max.) ±30V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 40 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 4,3 Ohms à 1,5A, 10V
Température d’utilisation 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220SIS
Boîtier Boîtier complet TO-220-3
 
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Autres Noms 2SK3564(Q)
2SK3564(STA4,Q)
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2SK3564(STA4Q)-ND
2SK3564(STA4QM)
2SK3564Q
2SK3564Q-ND
2SK3564STA4QM

19:59:18 1/19/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,74000 1,74
10 1,57200 15,72
25 1,40360 35,09
100 1,26340 126,34
250 1,12296 280,74
500 0,98260 491,30
1 000 0,81415 814,15
2 500 0,75800 1 895,01

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