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Référence Digi-Key 2SK3564(STA4QM)-ND
Quantité disponible
Fabricant

Référence fabricant

2SK3564(STA4,Q,M)

Description MOSFET N-CH 900V 3A TO-220SIS
Description étendue N-Channel 900V 3A (Ta) 40W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 12 semaines
Documents et supports
Fiches techniques Mosfets Prod Guide
2SK3564
Page de catalogue 1570 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Toshiba Semiconductor and Storage

Série π-MOSIV
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 900V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 3 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4 V à 1 mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 17 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 700 pF à 25 V
Vgs (max.) ±30 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 40 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 4,3 Ohms à 1,5 A, 10 V
Température d’utilisation 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220SIS
Boîtier Boîtier complet TO-220-3
 
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Colis standard ? 50
Autres Noms 2SK3564(Q)
2SK3564(STA4,Q)
2SK3564(STA4Q)
2SK3564(STA4Q)-ND
2SK3564(STA4QM)
2SK3564Q
2SK3564Q-ND
2SK3564STA4QM

19:09:34 3/25/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,79000 1,79
10 1,62400 16,24
25 1,44960 36,24
100 1,30470 130,47
250 1,15972 289,93
500 1,01474 507,37
1 000 0,84078 840,78
2 500 0,78280 1 957,00
5 000 0,75381 3 769,04

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