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Présentation des produits
Référence Digi-Key 296-37289-5-ND
Quantité disponible 676
Envoi immédiat possible

Stock usine ?: 10 000
Fabricant

Référence fabricant

CSD19536KCS

Description MOSFET N-CH 100V TO-220
Description étendue N-Channel 100V 150A (Ta) 375W (Tc) Through Hole TO-220-3
Statut sans plomb / Statut RoHS Contient du plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 6 semaines
Documents et supports
Fiches techniques CSD19536KCS
Produit représenté CSD19536KCS Power MOSFET
Assemblage/origine PCN TO220 Pkg Qualification Add Assembly & Test Site 30/Oct/2015
Page produits du fabricant CSD19536KCS Specifications
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종류
Fabricant

Texas Instruments

Série NexFET™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 150A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 3,2V à 250µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 153nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 12000pF à 50V
Vgs (Max) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 375W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 2,7 mOhms à 100A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220-3
Boîtier TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms 296-37289-5

19:04:50 1/16/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 4,29000 4,29
10 3,85400 38,54
100 3,15750 315,75
500 2,68784 1 343,92
1 000 2,02398 2 023,98

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