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Référence Digi-Key 296-37169-5-ND
Quantité disponible 126
Envoi immédiat possible

Stock usine ?: 5 450
Fabricant

Référence fabricant

CSD19506KCS

Description MOSFET N-CH 80V TO-220-3
Description étendue N-Channel 80V 100A (Ta) 375W (Tc) Through Hole TO-220-3
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 6 semaines
Documents et supports
Fiches techniques CSD19506KCS
Produit représenté CSD19506KCS Power MOSFET
Assemblage/origine PCN TO220 Pkg Qualification Add Assembly & Test Site 30/Oct/2015
Page produits du fabricant CSD19506KCS Specifications
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Catégories
Fabricant

Texas Instruments

Série NexFET™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 80V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 100 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 6V, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 3,2 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 156 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 12200 pF à 40 V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 375 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 2,3 mOhms à 100 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220-3
Boîtier TO-220-3
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms 296-37169-5

06:23:41 2/26/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 4,17000 4,17
10 3,74800 37,48
100 3,07130 307,13
500 2,61448 1 307,24
1 000 2,20498 2 204,98

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