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Référence Digi-Key 497-10589-5-ND
Quantité disponible 282
Envoi immédiat possible

Stock usine ?: 3 000
Fabricant

Référence fabricant

STW77N65M5

Description MOSFET N-CH 650V 69A TO-247
Description étendue N-Channel 650V 69A (Tc) 400W (Tc) Through Hole TO-247-3
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 22 semaines
Documents et supports
Fiches techniques STW77N65M5
Autre(s) document(s) connexe(s) STW77N65M5 View All Specifications
Module(s) de formation sur le produit 5th Generation High Voltage Mosfet Technology
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Catégories
Fabricant

STMicroelectronics

Série MDmesh™ V
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 650V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 69 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 5 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 200 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 9800 pF à 100 V
Vgs (max.) 25 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 400 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 38 mOhms à 34,5 A, 10 V
Température d’utilisation 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-247-3
Boîtier TO-247-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 30
Autres Noms 497-10589-5
STW77N65M5-ND

05:17:34 3/25/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 19,71000 19,71
10 18,11600 181,16
100 15,30030 1 530,03

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