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Référence Digi-Key 497-16127-5-ND
Quantité disponible 360
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

STW65N65DM2AG

Description MOSFET N-CH 650V 60A
Description étendue N-Channel 650V 60A (Tc) 446W (Tc) Through Hole TO-247
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 24 semaines
Documents et supports
Fiches techniques STW65N65DM2AG
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Catégories
Fabricant

STMicroelectronics

Série Automobile, AEC-Q101, MDmesh™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 650V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 60 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 5 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 120 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 5500 pF à 100 V
Vgs (max.) ±25 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 446 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 50 mOhms à 30 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-247
Boîtier TO-247-3
 
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  • Prix unitaire 11,01000
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 30
Autres Noms 497-16127-5

20:35:11 3/26/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 9,60000 9,60
10 8,67300 86,73
100 7,18080 718,08
500 6,25298 3 126,49

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