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Présentation des produits
Référence Digi-Key 497-16127-5-ND
Quantité disponible 416
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

STW65N65DM2AG

Description MOSFET N-CH 650V 60A
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 10 semaines
Documents et supports
Fiches techniques STW65N65DM2AG
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Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

STMicroelectronics

Série Automobile, AEC-Q101, MDmesh™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N MOSFET, oxyde métallique
Fonction FET Standard
Tension drain-source (Vdss) 650V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 60A (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 50 mOhms à 30A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 5V à 250µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 120nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 5500pF à 100V
Puissance max. 446W
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier TO-247-3
Boîtier fournisseur TO-247
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 30
Autres Noms 497-16127-5

11:04:39 12/7/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 9,14000 9,14
10 8,25300 82,53
100 6,83240 683,24
500 5,94954 2 974,77
1 000 5,18186 5 181,86

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