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Référence Digi-Key 497-16131-5-ND
Quantité disponible 575
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

STW58N60DM2AG

Description MOSFET N-CH 600V 50A
Description étendue N-Channel 600V 50A (Tc) 360W (Tc) Through Hole TO-247
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 10 semaines
Documents et supports
Fiches techniques STW58N60DM2AG
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Catégories
Fabricant

STMicroelectronics

Série Automobile, AEC-Q101, MDmesh™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 600V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 50A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 90nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 4100pF à 100V
Vgs (max.) ±25V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 360W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 60 mOhms à 25A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-247
Boîtier TO-247-3
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 30
Autres Noms 497-16131-5

18:24:59 1/18/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 7,10000 7,10
10 6,41300 64,13
100 5,30980 530,98
500 4,62374 2 311,87
1 000 4,02713 4 027,13

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