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Référence Digi-Key 497-15594-5-ND
Quantité disponible 362
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

STW56N65M2

Description MOSFET N-CH 650V 49A TO247
Description étendue N-Channel 650V 49A (Tc) 358W (Tc) Through Hole TO-247
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 22 semaines
Documents et supports
Fiches techniques STW56N65M2
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Catégories
Fabricant

STMicroelectronics

Série MDmesh™ M2
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 650V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 49 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 93 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 3900 pF à 100 V
Vgs (max.) ±25 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 358 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 62 mOhms à 24,5 A, 10 V
Température d’utilisation 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-247
Boîtier TO-247-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 30
Autres Noms 497-15594-5

03:14:58 3/25/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 7,53000 7,53
10 6,80600 68,06
100 5,63530 563,53
500 4,90714 2 453,57
1 000 4,27396 4 273,96

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