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Référence Digi-Key 497-15373-5-ND
Quantité disponible 587
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

STW56N65M2-4

Description MOSFET N-CH 650V I2PAKFP
Description étendue N-Channel 650V 49A (Tc) 358W (Tc) Through Hole TO-247-4L
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 9 semaines
Documents et supports
Fiches techniques STW56N65M2-4
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Catégories
Fabricant

STMicroelectronics

Série MDmesh™ M2
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 650V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 49 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 93 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 3900 pF à 100 V
Vgs (max.) ±25V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 358 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 62 mOhms à 24,5 A, 10 V
Température d’utilisation 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-247-4L
Boîtier TO-247-4
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 30
Autres Noms 497-15373-5

21:23:05 2/20/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 7,25000 7,25
10 6,55400 65,54
100 5,42580 542,58
500 4,72472 2 362,36
1 000 4,11508 4 115,08

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