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Présentation des produits
Référence Digi-Key 497-8796-5-ND
Quantité disponible 450
Envoi immédiat possible

Stock usine ?: 57 600
Fabricant

Référence fabricant

STW42N65M5

Description MOSFET N-CH 650V 33A TO-247
Description étendue N-Channel 650V 33A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-247-3
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 10 semaines
Documents et supports
Fiches techniques STx42N65M5
Autre(s) document(s) connexe(s) STW42N65M5 View All Specifications
Module(s) de formation sur le produit 5th Generation High Voltage Mosfet Technology
Modèles EDA / CAD ? Télécharger depuis le site Accelerated Designs
Page de catalogue 1457 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

STMicroelectronics

Série MDmesh™ V
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 650V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 33A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 100nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 4650pF à 100V
Vgs (max.) ±25V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 190 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 79 mOhms à 16,5A, 10V
Température d’utilisation 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-247-3
Boîtier TO-247-3
 
Kits
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 30
Autres Noms 497-8796-5

04:11:42 1/20/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 10,48000 10,48
10 9,62900 96,29
100 8,13210 813,21
500 7,23410 3 617,05
1 000 6,63542 6 635,42

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