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Référence Digi-Key 497-13123-5-ND
Quantité disponible 2 759
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

STW34N65M5

Description MOSFET N-CH 650V 28A TO-247
Description étendue N-Channel 650V 28A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-247
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 10 semaines
Documents et supports
Fiches techniques STB,I,P,W34N65M5
Autre(s) document(s) connexe(s) STW34N65M5 View All Specifications
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Catégories
Fabricant

STMicroelectronics

Série MDmesh™ V
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 650V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 28 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 62,5nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2700pF à 100V
Vgs (max.) ±25V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 190 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 110 mOhms à 14A, 10V
Température d’utilisation 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-247
Boîtier TO-247-3
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 30
Autres Noms 497-13123-5

14:49:23 1/23/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 9,55000 9,55
10 8,62600 86,26
100 7,14130 714,13
500 6,21854 3 109,27
1 000 5,41615 5 416,15

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