Ajouter aux favoris
Présentation des produits
Référence Digi-Key 497-10085-5-ND
Quantité disponible 417
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

STW18NM80

Description MOSFET N-CH 800V 17A TO-247
Description étendue N-Channel 800V 17A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-247-3
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 16 semaines
Documents et supports
Fiches techniques STx18NM80
Autre(s) document(s) connexe(s) STW18NM80 View All Specifications
Page de catalogue 1457 (FR2011-FR PDF)
Attributs des produits Sélectionner tout
Catégories
Fabricant

STMicroelectronics

Série MDmesh™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 800V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 17 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 5 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 70 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2070 pF à 50 V
Vgs (max.) ±30 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 190 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 295 mOhms à 8,5 A, 10 V
Température d’utilisation 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-247-3
Boîtier TO-247-3
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 30
Autres Noms 497-10085-5

05:52:37 3/24/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 5,99000 5,99
10 5,41500 54,15
100 4,48320 448,32
500 3,90390 1 951,95
1 000 3,40017 3 400,17

Envoyer une demande de devis pour des quantités supérieures à celles affichées.

Envoyez vos commentaires