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Référence Digi-Key 497-4420-5-ND
Quantité disponible 700
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

STW11NM80

Description MOSFET N-CH 800V 11A TO-247
Description étendue N-Channel 800V 11A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-247-3
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 9 semaines
Documents et supports
Fiches techniques STx11NM80
Autre(s) document(s) connexe(s) STW11NM80 View All Specifications
Page de catalogue 1457 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

STMicroelectronics

Série MDmesh™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 800V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 11A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 5V à 250µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 43,6nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 1630pF à 25V
Vgs (Max) ±30V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 150W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 400 mOhms à 5,5A, 10V
Température d’utilisation -65°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-247-3
Boîtier TO-247-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 30
Autres Noms 497-4420-5

02:05:35 1/18/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 5,76000 5,76
10 5,20000 52,00
100 4,30530 430,53
500 3,74898 1 874,49
1 000 3,26524 3 265,24

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