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Présentation des produits
Référence Digi-Key 497-13978-5-ND
Quantité disponible 4 163
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

STU6N60M2

Description MOSFET N-CH 600V IPAK
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 11 semaines
Documents et supports
Fiches techniques STx6N60M2
Produit représenté MDmesh II Plus™ Low Qg Power MOSFETs
Attributs des produits Sélectionner tout
Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

STMicroelectronics

Série MDmesh™ II Plus
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N MOSFET, oxyde métallique
Fonction FET Standard
Tension drain-source (Vdss) 600V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 4,5A (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 1,2 Ohms à 2,25A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 13,5nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 232pF à 100V
Puissance max. 60W
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier TO-251-3 broches longues, IPak, TO-251AA
Boîtier fournisseur I-Pak
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 75
Autres Noms 497-13978-5
STU6N60M2-ND

20:16:33 12/3/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,18000 1,18
10 1,05700 10,57
100 0,82430 82,43
500 0,68092 340,46
1 000 0,53757 537,57

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