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Présentation des produits
Référence Digi-Key 497-13978-5-ND
Quantité disponible 4 163
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

STU6N60M2

Description MOSFET N-CH 600V IPAK
Description étendue N-Channel 600V 4.5A (Tc) 60W (Tc) Through Hole I-Pak
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 22 semaines
Documents et supports
Fiches techniques STx6N60M2
Produit représenté MDmesh II Plus™ Low Qg Power MOSFETs
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Catégories
Fabricant

STMicroelectronics

Série MDmesh™ II Plus
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 600V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 4,5 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 13,5 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 232 pF à 100 V
Vgs (max.) ±25 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 60 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 1,2 Ohms à 2,25 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur I-Pak
Boîtier TO-251-3 broches longues, IPak, TO-251AA
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 75
Autres Noms 497-13978-5
STU6N60M2-ND

21:04:26 3/24/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,25000 1,25
10 1,11100 11,11
100 0,86630 86,63
500 0,71564 357,82
1 000 0,56498 564,98

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