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Présentation des produits
Référence Digi-Key 497-6197-1-ND
Quantité disponible 12 125
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

STQ1NK80ZR-AP

Description MOSFET N-CH 800V 0.3A TO-92
Description étendue N-Channel 800V 300mA (Tc) 3W (Tc) Through Hole TO-92-3
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 16 semaines
Documents et supports
Fiches techniques STx1NK80ZR(R-AP,-1)
Produit représenté Power MOSFETs
Page de catalogue 1459 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

STMicroelectronics

Série SuperMESH™
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 800V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 300 mA (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4,5 V à 50 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 7,7 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 160 pF à 25 V
Vgs (max.) ±30 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 3 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 16 Ohms à 500 mA, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-92-3
Boîtier TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (broches formées)
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms 497-6197-1

15:50:56 3/27/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,73000 0,73
10 0,63700 6,37
100 0,48810 48,81
500 0,38590 192,95
1 000 0,30874 308,74

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Emballage Alternatif | Cette pièce est aussi disponible en emballage suivant
  • Bande et boîte ? : 497-6197-3-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 2 000
  • Quantité disponible: 12 000 - Immédiatement
  • Prix unitaire: 0,27164
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