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Présentation des produits
Référence Digi-Key 497-12343-3-ND
Quantité disponible 6 000
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

STQ1NK60ZR-AP

Description MOSFET N-CH 600V 0.3A TO-92
Description étendue N-Channel 600V 300mA (Tc) 3W (Tc) Through Hole TO-92-3
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 7 semaines
Documents et supports
Fiches techniques STx1LNK60Z(-1,AP)
Autre(s) document(s) connexe(s) STQ1NK60ZR View All Specifications
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Catégories
Fabricant

STMicroelectronics

Série SuperMESH™
Conditionnement ? Bande et boîte ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 600V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 300 mA (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4,5V à 50µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 6,9nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 94pF à 25V
Vgs (max.) ±30V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 3 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 15 Ohms à 400mA, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-92-3
Boîtier TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (broches formées)
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 2 000
Autres Noms 497-12343-3
STQ1NK60ZRAP

12:49:39 1/22/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
2 000 0,17257 345,14
6 000 0,16144 968,63
10 000 0,15031 1 503,05
50 000 0,13917 6 958,55

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