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Référence Digi-Key 497-15648-1-ND
Quantité disponible 3 824
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

STQ1HNK60R-AP

Description MOSFET N-CH 600V 400MA TO-92
Description étendue N-Channel 600V 400mA (Tc) 3W (Tc) Through Hole TO-92-3
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 13 semaines
Documents et supports
Fiches techniques STx1(H)NK60(-1,R)
Autre(s) document(s) connexe(s) STQ1HNK60R View All Specifications
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Catégories
Fabricant

STMicroelectronics

Série SuperMESH™
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 600V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 400 mA (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 3,7 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 10 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 156 pF à 25 V
Vgs (max.) ±30V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 3 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 8,5 Ohms à 500 mA, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-92-3
Boîtier TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (broches formées)
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms 497-15648-1

08:54:53 2/24/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,54000 0,54
10 0,46500 4,65
100 0,34730 34,73
500 0,27290 136,45
1 000 0,21088 210,88

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Emballage Alternatif | Cette pièce est aussi disponible en emballage suivant
  • Bande et boîte ? : 497-15648-3-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 2 000
  • Quantité disponible: 2 000 - Immédiatement
  • Prix unitaire: 0,18668
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