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Référence Digi-Key 497-10966-5-ND
Quantité disponible 988
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

STP9NM60N

Description MOSFET N-CH 600V 6.5A TO-220
Description étendue N-Channel 600V 6.5A (Tc) 70W (Tc) Through Hole TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 16 semaines
Documents et supports
Fiches techniques STx9NM60N
Autre(s) document(s) connexe(s) STP9NM60N View All Specifications
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Catégories
Fabricant

STMicroelectronics

Série MDmesh™ II
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 600V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 6,5 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 17,4 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 452 pF à 50 V
Vgs (max.) ±25V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 70 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 745 mOhms à 3,25 A, 10 V
Température d’utilisation 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220AB
Boîtier TO-220-3
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms 497-10966-5

19:25:21 2/23/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,98000 1,98
10 1,78100 17,81
100 1,43180 143,18
500 1,17634 588,17
1 000 0,97468 974,68

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