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Référence Digi-Key 497-14834-5-ND
Quantité disponible 62
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

STP80N10F7

Description MOSFET N-CH 100V 80A TO-220
Description étendue N-Channel 100V 80A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 16 semaines
Documents et supports
Fiches techniques STx80N10F7,STH80N10F7-2
Module(s) de formation sur le produit Low Voltage Power MOSFETs
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Catégories
Fabricant

STMicroelectronics

Série DeepGATE™, STripFET™ VII
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 80A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4,5V à 250µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 45nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 3100pF à 50V
Vgs (Max) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 110W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 10 mOhms à 40A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220
Boîtier TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms 497-14834-5
STP80N10F7-ND

04:30:29 1/18/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 2,29000 2,29
10 2,06100 20,61
100 1,65590 165,59
500 1,36052 680,26
1 000 1,12729 1 127,29

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