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Référence Digi-Key 497-13975-5-ND
Quantité disponible 1 779
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

STP7N60M2

Description MOSFET N-CH 600V TO-220
Description étendue N-Channel 600V 5A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 11 semaines
Documents et supports
Fiches techniques STx7N60M2
Produit représenté MDmesh II Plus™ Low Qg Power MOSFETs
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Catégories
Fabricant

STMicroelectronics

Série MDmesh™ II Plus
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 600V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 5 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 8,8nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 271pF à 100V
Vgs (max.) ±25V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 60 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 950 mOhms à 2,5A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220
Boîtier TO-220-3
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms 497-13975-5
STP7N60M2-ND

11:33:09 1/21/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,30000 1,30
10 1,16100 11,61
100 0,90510 90,51
500 0,74768 373,84
1 000 0,59028 590,28

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