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Référence Digi-Key 497-14717-5-ND
Quantité disponible 1 048
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

STP315N10F7

Description MOSFET N-CH 100V 180A TO-220AB
Description étendue N-Channel 100V 180A (Tc) 315W (Tc) Through Hole TO-220
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 16 semaines
Documents et supports
Fiches techniques STP315N10F7
Module(s) de formation sur le produit Low Voltage Power MOSFETs
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Catégories
Fabricant

STMicroelectronics

Série DeepGATE™, STripFET™ VII
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 180 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4,5 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 180 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 12800 pF à 25 V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 315 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 2,7 mOhms à 60 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220
Boîtier TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50

00:35:43 2/20/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 4,99000 4,99
10 4,47900 44,79
100 3,67020 367,02
500 3,12434 1 562,17
1 000 2,63499 2 634,99

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